Импедансные характеристики γ-облученных твердых растворов (TlGaSe-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(TlInS-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-x-=/SUB=-

Abstract

Методами импедансной спектроскопии исследованы процессы переноса заряда в твердых растворах (TlGaSe2)1-x(TlInS2)x в диапазоне частот 20-106 Гц до и после γ-облучения. Установлен релаксационный характер дисперсии диэлектрической проницаемости, а также природа диэлектрических потерь. Частотная зависимость тангенса угла диэлектрических потерь (tg delta) в кристаллах твердых растворов (TlGaSe2)1-x(TlInS2)x обусловлена не только релаксационной поляризацией, но и сквозной проводимостью. Рассчитаны значения времени релаксации tau=10-3 с. Установлено, что в частотном интервале 105-5·105 Гц для электропроводности выполняется закономерность sigma~ fS (0.1≤ S≤1.0), указывающая на проводимость по локализованным состояниям. Дальнейший рост частоты приводит к росту ионной проводимости переходу системы в суперионное состояние. Ключевые слова: твердые растворы, диэлектрическая проницаемость, время релаксации, диэлектрические потери, проводимость, импеданс.