The effect of gamma irradiation on the optical properties of layered TlGaSe2 and TlInS2 crystals in the wavelength range of 400–1,100 nm at 300 K is studied. From the analysis of optical absorption spectra, the energies of direct and indirect optical interband transitions before and after gamma irradiation are determined. It is shown that as the gamma-irradiation dose is accumulated in the range of 0–25 Mrad by TlGaSe2 and TlInS2 single crystals, the energies of direct and indirect allowed optical transitions increase from Egd = 2.06 eV and Egi = 1.90 eV at D = 0 Mrad to Egd = 2.11 eV and Egi = 1.98 eV at D = 25 Mrad for TlGaSe2 and Egd = 2.32 eV crystals and Egi = 2.27 eV at D = 0 Mrad to Egd = 2.35 and Egi = 2.32 eV at D = 25 Mrad for TlInS2 crystals. A decrease in the transmittance at doses from 0 to 5 Mrad and a further increase in the transmittance at the radiation dose D = 25 Mrad are observed.

Исследованы температурно-частотные зависимости: электрической проводимости (sigma(μ,T)), действительной и мнимой части комплексной диэлектрической проницаемости (ε'(ν,T)) и (ε''(ν,T)), комплексный импеданс соединения TlSe при воздействии различных доз гамма радиации. Исследован процесс возникновения концентрационной поляризации на границе ионный проводник блокирующий контакт. Установлен температурно-частотно-дозовый интервал возникновения ионной проводимости, импеданса Варбурга и обнаружен, радиационно стимулированный фазовый переход в суперионное состояние кристалла TlSe. Ключевые слова: комплексный импеданс, блокирующий контакт, ионной проводимости.

Методами импедансной спектроскопии исследованы процессы переноса заряда в твердых растворах (TlGaSe2)1-x(TlInS2)x в диапазоне частот 20-106 Гц до и после γ-облучения. Установлен релаксационный характер дисперсии диэлектрической проницаемости, а также природа диэлектрических потерь.  Частотная зависимость тангенса угла диэлектрических потерь (tg delta) в кристаллах твердых растворов (TlGaSe2)1-x(TlInS2)x обусловлена не только релаксационной поляризацией, но и сквозной проводимостью. Рассчитаны значения времени релаксации tau=10-3 с. Установлено, что в частотном интервале 105-5·105 Гц для электропроводности выполняется закономерность sigma~ fS (0.1≤ S≤1.0), указывающая на проводимость по локализованным состояниям. Дальнейший рост частоты приводит к росту ионной проводимости переходу системы в суперионное состояние. Ключевые слова: твердые растворы, диэлектрическая проницаемость, время релаксации, диэлектрические потери, проводимость, импеданс.