Радиационно-стимулированный фазовый переход в суперионное состояние кристалла TlSe

Abstract

Исследованы температурно-частотные зависимости: электрической проводимости (sigma(μ,T)), действительной и мнимой части комплексной диэлектрической проницаемости (ε'(ν,T)) и (ε''(ν,T)), комплексный импеданс соединения TlSe при воздействии различных доз гамма радиации. Исследован процесс возникновения концентрационной поляризации на границе ионный проводник блокирующий контакт. Установлен температурно-частотно-дозовый интервал возникновения ионной проводимости, импеданса Варбурга и обнаружен, радиационно стимулированный фазовый переход в суперионное состояние кристалла TlSe. Ключевые слова: комплексный импеданс, блокирующий контакт, ионной проводимости.