Исправление К Статье, Опубликованной В Т. 49, В. 4, С. 791 - 794

Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4H-SiC

“…Показано, что радиационная стойкость исследованных приборов на основе SiC суще-ственно превосходит радиационную стойкость кремниевых p−i−n-диодов с аналогичными напряжениями пробоя. Ранее было показано, что карбид кремния (SiC) имеет большие перспективы для разработки на его основе приборов высоковольтной и сильноточной электроники [1][2][3]. В настоящее время на основе 4H-SiC осуществляется коммерческий выпуск диодов Шоттки, JBS-диодов и MOSFET-транзисторов.…”

Анализ Примесного Состава Синтетических HPHT-алмазов Методом Лазерно-Искровой Эмиссионной Спектроскопии В Условиях Лазерно-Индуцированной Модификации Поверхности

“…Ранее детально исследовалась лазерно-индуцированная графитизация CVD-алмазов (CVD -chemical vapor deposition) [7,8]. Это явление использовалось при исследовании HPHT-алмазов методом ЛИЭС [9]. Было обнаружено существенное увеличение интенсивности излучения полосы CN вследствие лазерно-индуцированной графитизации поверхности азотсодержащих алма-зов, и это позволило идентифицировать образцы с малой концентрацией азота (тип IIа).…”

“…Это может быть объяснено наличием большей разупорядоченности углеродных связей в секторах (111), чем в секторах (100). В схеме измерений методом ЛИЭС абляция поверхности образцов осуществлялась сфокусированным импульсным излучением Nd 3+ : YAG-лазера на длине волны 1064 nm с плотностью энергии около 1 kJ/cm 2 [9]. Запуск ла- зера, синхронизация его работы со спектрометром и обработка спектров плазмы (нормализация, корректировка базовой линии и т.…”

“…Для предотвращения химического взаимодействия лазерного факела с окружающим воздухом образцы обдувались низкоскоростной струей аргона [12]. В процессе последовательной, импульс за импульсом, лазерной модификации поверхности образцов наблюдался рост интенсивности излучения молекулярной полосы C 2 (спектральный диапазон 495−517 nm [9]), что являлось следствием увеличения числа двойных связей C=C (рис. 2).…”

“…2). Такие связи соответствуют s p 2 -гибридизации атомов углерода, и их наличие подтверждается появлением G-полосы (1600 cm −1 ) в спектрах комбинационного рассеяния, что связано с графитизацией поверхности алмаза в зоне абляции [9].…”