Исследование распределения релаксаторов в тонких слоях аморфного MoTe-=SUB=-2-=/SUB=-

Abstract

В последнее время дихалькогениды переходных металлов оказались в центре внимания после того, как было обнаружено, что в пределе монослоя они становятся прямозонными полупроводниками. В работе представлены результаты исследования распределения релаксаторов в слоях аморфного дителлурида молибдена, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления. По полученным значениям релаксационных параметров α и β, можно констатировать переход от несимметричного распределения к симметричному распределению релаксаторов по временам релаксации при температуре T=283 K. Обнаружено существование максимумов на температурной зависимости времен релаксации taumax=f(T), которое может быть связанно с фазовыми переходами в системе. Ключевые слова: дителлурид молибдена, распределение релаксаторов, тонкие слои, фазовые переходы.