Поступила в Редакцию 13 января 2020 г. В окончательной редакции 17 января 2020 г. Принята к публикации 17 января 2020 г.Представлены результаты исследования поляризационных процессов в тонких слоях аморфного дисульфида молибдена MoS 2 методом диэлектрической спектроскопии. Обнаружен процесс дипольно-релаксационной поляризации, произведен расчет микропараметров системы, определено время релаксации процесса дипольной поляризации, а также энергия активации релаксационного процесса Ea и энергия активации проводимости Eσ . Схожесть значений энергии активации релаксационного процесса Ea и процесса переноса заряда Eσ позволяет предположить, что оба процесса появляются в системе благодаря одному и тому же механизму переноса.Ключевые слова: дисульфид молибдена, дихалькогениды переходных металлов, процессы переноса.

Представлены результаты исследования структуры и процессов диэлектрической релаксации в тонких слоях системы Ge-Sb-Te. Обнаруженные дисперсия диэлектрической проницаемости и существование максимумов диэлектрических потерь в области низких частот объясняются структурными особенностями аморфной фазы исследуемых соединений. Ключевые слова: структурные и диэлектрические свойства, халькогенидная система Ge-Sb-Te.

В последнее время дихалькогениды переходных металлов оказались в центре внимания после того, как было обнаружено, что в пределе монослоя они становятся прямозонными полупроводниками. В работе представлены результаты исследования распределения релаксаторов в слоях аморфного дителлурида молибдена, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления. По полученным значениям релаксационных параметров α и β, можно констатировать переход от несимметричного распределения к симметричному распределению релаксаторов по временам релаксации при температуре T=283 K. Обнаружено существование максимумов на температурной зависимости времен релаксации taumax=f(T), которое может быть связанно с фазовыми переходами в системе. Ключевые слова: дителлурид молибдена, распределение релаксаторов, тонкие слои, фазовые переходы.

The results of the investigations of the polarization properties in thin layers of vitreous Ge28.5 Pb14.0Fe1.0S56.5 are presented. A process of dipole-relaxation polarization was discovered, the activation energy of which turned out to be equal to Ea = (0.97 ± 0.14) eV. It has been determined that charge transfer in the Ge28.5Pb14.0Fe1.0S56.5 hybrid system is a thermally activated process with an activation energy of Ea = (0.54 ± 0.01) eV. The calculation results allow us to conclude that the glass-forming ca- pacity of the (Ge28.5 Pb15.0S56.5)100−x Fex system decreases linearly with an increase in the proportion of metal in the glass structure.