Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge-Sb-Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

Abstract

Представлены результаты исследования структуры и процессов диэлектрической релаксации в тонких слоях системы Ge-Sb-Te. Обнаруженные дисперсия диэлектрической проницаемости и существование максимумов диэлектрических потерь в области низких частот объясняются структурными особенностями аморфной фазы исследуемых соединений. Ключевые слова: структурные и диэлектрические свойства, халькогенидная система Ge-Sb-Te.