Методика Исследования Изменения Формы Пластин И Тонкопленочных Мембран С Использованием Геоморфометрических Подходов

Abstract

We discuss a technique for investigating changes in complex topography and shape of structures using geomorphometric methods to study surfaces of wafers and membranes formed by the Bosch process. The wafers were analyzed before and after the deposition of the SiO2 layer. The membranes were analyzed during the bulge testing. The study was carried out using maps of the catchment area and principal curvatures taking into account artifacts of the approximation of experimental data. We found a correspondence between the distribution of lines connecting the highest surface areas before and after the deposition of the SiO2 layer on the wafers. For membranes with structure: Al (0.8 μm)/SiO2 (0.6 μm)/Al (1.1 μm), pSi*(0.8 μm)/SiNx (0.13 μm)/SiO2, Al (0.6 μm) – we also found that features of membrane boundaries are mainly caused by their initial shape rather than change under the action of an applied pressure. The advantages of geomorphometry methods for studying changes in the shape of wafers and thin-film membranes in technological processes for the manufacturing of microelectronic devices are shown in comparison with traditional methods for analyzing surface topography maps.

Использование Морфометрических Величин При Изучении Рельефа Поверхности Рентгенооптических Элементов

“…1, e) является континуальным выражением дискретной гауссовой классификации форм поверхности. Его положительные значения относятся к выпуклым формам рельефа, а отрицательные -к вогнутым формам; его абсолютные значения от 0.5 до 1 соответствуют эллиптическим поверхностям (холмы и замкнутые впадины), а от 0 до 0.5 -гиперболическим (седла) [37].…”

“…Ранее частью авторов настоящей работы были рассмотрены вопросы применения опыта геоморфометрии для изучения формы пластин и структур на их основе [34][35][36][37], в том числе круглых тонкопленочных мембран [34]. Обрабатывались ЦМР, полученные посредством оптической профилометрии [34][35][36] и АСМ [37].…”

“…Ранее частью авторов настоящей работы были рассмотрены вопросы применения опыта геоморфометрии для изучения формы пластин и структур на их основе [34][35][36][37], в том числе круглых тонкопленочных мембран [34]. Обрабатывались ЦМР, полученные посредством оптической профилометрии [34][35][36] и АСМ [37]. Настоящая работа включает дальнейшее развитие этого направления и применение геоморфометрических подходов для изучения формы элементов рентгеновской оптики.…”