Моделирование И Экспериментальное Исследование Сбоев Sram-Памяти, Вызванных Вторичными Частицами Взаимодействия Тзч С Веществом Микросхемы

Abstract

В докладе представлены экспериментальные данные распределения множественных сбоев в блоках памяти в составе системы на кристалле (СнК), изготовленной по технологии 40 нм. С помощью инструмента Geant4 проведено моделирование взаимодействия ионов с веществом микросхемы, которое потенциально объясняет наличие сбоев с экстремально высокой кратностью.