Моделирование Смачивающих Фазовых Переходов В Тонких Пленках

Abstract

In this study, we have analyzed the kinetics of wetting transitions in nanosized liquid films on the substrate surface in terms of the hydrodynamic model. In the region of metastable states, we have studied the regularities of equilibrium cluster formation and calculated the film thickness distribution. In the region of unstable states, the kinetics of phase transition leading to cluster formation has been explored. At the early stage, the holes of the thickness close to an equilibrium value are formed. Coalescence of holes causes redistribution of a substance in the film and leads to cluster formation. The kinetics of average size and concentration of the holes are calculated. For the clusters formed, the kinetics of average radius, average height, concentration, and their distribution function on radius and height have been studied.

Влияние Флуктуаций На Образование Выделений Вторых Фаз На Границах Зерен

“…Для изучения кинетики среднего размера, концентрации, функции распределения выделений на ранней стадии (τ < 275) было проведено независимое моделирование для четырех фрагментов твердого раствора с помощью разностной схемы (6). Характеристики распределения фаз для данного интервала опредeлялись путем их усреднения по всем независимым реализациям [18,40]. Для более поздних интервалов времени (τ > 275) проводилась одна попытка расчета ввиду существенной длительности расчетов.…”

Плавление И Электромиграция В Тонких Пленках Хрома

“…Среди них так называемые фазовые переходы смачивания представляют собой особый вид фазовых переходов, возникающих на границах раздела в условиях, когда энергия поверхностного смачивания и энергия плавления становятся близки по порядку величины [5][6][7][8]. Данный вид фазовых переходов наблюдается экспериментально для жидкостей на поверхности подложек [7][8][9][10][11][12][13]. Практическая значимость исследований в этой области обусловливается необходимостью прогнозирования поведения металлических покрытий, а также определения рабочего интервала температур активных и пассивных элементов микро-и наноэлектроники.…”