Образование Керровского Волновода И Микрорешеток На Поверхности Германия Под Действием Фемтосекундного Излучения Среднего ИК Диапазона, "Оптика И Спектроскопия"

Фемтосекундный Лазерный Отжиг Многослойных Тонкопленочных Структур На Основе Аморфных Германия И Кремния

“…DOI: 10.21883/PJTF.2020. 11.49499.18201 Импульсный лазерный отжиг (ИЛО) является эффективным способом модификации аморфных полупроводников [1], в том числе тонких пленок аморфных гидрированных кремния (a-Si : H) [2] и германия (a-Ge : H) [3], поскольку в результате подобного воздействия формируются кристаллические включения в аморфной матрице, обусловливающие эффективные поглощение света и транспорт носителей заряда. В настоящее время актуальной задачей представляется поиск режимов ИЛО многослойных тонкопленочных структур a-Si : H/a-Ge : H, при котором происходит кристаллизация только германиевых слоев.…”

Структурная Анизотропия Пленок Аморфного Кремния, Модифицированных Фемтосекундными Лазерными Импульсами-=sup=-*-=/Sup=-

“…Образование поверхностного рельефа под действием фемтосекундных лазерных импульсов приводит к увеличению поглощения пленки [6,7], поэтому каждый последующий импульс лазерного излучения вызывает более сильный нагрев пленки a-Si : H и увеличивает тепловую эмиссию электронов с поверхности полупроводника. В результате в приповерхностной области знак диэлектрической проницаемости изменяется с положительного на отрицательный, что приводит к изменению моды возбуждаемых плазмон-поляритонов (TE вместо TM), и, как следствие, ориентация формируемых ППС также изменяется [12,16,18].…”

Лазерно-Индуцированная Генерация Поверхностных Периодических Структур В Средах С Нелинейной Диффузией

“…Эффекты, связанные с образованием на поверхности металлов и полупроводников пространственно-модули-рованных структур с периодом как порядка длины све-товой волны [1][2][3][4], так и значительно меньшей [5][6][7][8][9][10], привлекают значительный интерес исследователей по причине возможности их использования в технологиях фотоники, интегральной оптики, а также микро-и на-ноэлектроники [11][12][13]. Отдельный интерес может пред-ставлять формирование субволновых высококонтраст-ных структур на поверхности полупроводников [10][11][12][13][14][15].…”

“…Отдельный интерес может пред-ставлять формирование субволновых высококонтраст-ных структур на поверхности полупроводников [10][11][12][13][14][15].…”

“…При облуче-нии ультракороткими импульсами (длительностью ме-нее 100 fs) кристаллическая решетка остается " холод-ной" и практически не принимает участия в поглощении лазерного излучения [8][9][10]. Последнее поглощается электронной подрешеткой и вызывает образование на поверхности полупроводника тонкой пленки металли-зации [3][4][5].…”