Оптические переходы в кристаллах ZnSe и CdTe с участием d-зон катионов

Abstract

Спектры диэлектрических проницаемостей ε 1 (E) и ε 2 (E) кристаллов ZnSe и CdTe рассчитаны в области 10−25 эВ, используя их экспериментальные спектры отражения и интегральные соотношения Крамерса−Кронига. Они разложены на тринадцать и двенадцать отдельных полос переходов для ZnSe и CdTe соответственно, применяя усовершенствованный беспараметрический метод объединенных диаграмм Арганда. При этом определены их основные параметры: энергии максимумов и полуширин, силы осцилляторов. Значения сил осцилляторов находятся в интервалах 0.1−1.4 (ZnSe) и 0.2−0.7 (CdTe). Полученные полосы ε 2 (E) обусловлены межзонными и экситонными переходами с участием остовных d-зон катионов обоих кристаллов.