Усовершенствованным беспараметрическим методом объединенных диаграмм Арганда спектры диэлектри-ческой проницаемости кристаллов InAs и InSb в области 15−40 эВ разложены на тринадцать и двенадцать отдельных компонент соответственно с определением для каждой из них трех основных параметров: энергий максимума и полуширины, а также силы осциллятора. Силы осцилляторов находятся в интервалах 0.006−0.10 (InAs) и 0.014−0.076 (InSb). Спектры диэлектрических проницаемостей предварительно рассчи-таны на основе экспериментальных спектров отражения и поглощения методом интегральных соотношений Крамерса−Кронига. Предложена природа полученных полос переходов по модели межзонных и экситонных переходов. Цель настоящей работы состоит в моделировании полного набора оптических переходов кристаллов InAs и InSb в области 15−40 эВ при использовании эксперимен-тальных спектров отражения, поглощения и диэлектри-ческой проницаемости с последующим теоретическим анализом полученных данных на основе теоретических расчетов межзонных переходов и учета возможного вклада метастабильных экситонов.

No abstract

No abstract

No abstract

No abstract