2019
DOI: 10.21883/os.2019.03.47365.194-18
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Оптические Свойства Монокристаллического Германия В Терагерцовой Области Спектра

Abstract: The transmission of intrinsic, antimony-doped, and gallium-doped Ge single crystals in the THz spectral range have been experimentally investigated. It is shown that the attenuation coefficient of intrinsic germanium in the range of 160‒220 μm is at a level of ~0.5 cm^‒1, a value comparable with that for silicon. The free-carrier absorption cross sections of silicon and germanium are significantly different, which may be caused by the difference in the mechanisms of carrier–phonon interaction in these material… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
2
1

Citation Types

0
3
0
8

Year Published

2019
2019
2021
2021

Publication Types

Select...
4

Relationship

4
0

Authors

Journals

citations
Cited by 4 publications
(11 citation statements)
references
References 9 publications
0
3
0
8
Order By: Relevance
“…Последнее время рассматриваются возможности применения германия в терагерцевом (ТГц) диапазоне электромагнитного спектра (~3 мм -30 мкм, 3 см -1 -300 см -1 ) [61]. В работе [62] исследованы оптические свойства чистого и легированного Ge в ТГц-диапазоне. В ТГц-диапазоне интересны активные элементы акустооптических устройств из Ge [63].…”
Section: Materials and Coatingsunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Последнее время рассматриваются возможности применения германия в терагерцевом (ТГц) диапазоне электромагнитного спектра (~3 мм -30 мкм, 3 см -1 -300 см -1 ) [61]. В работе [62] исследованы оптические свойства чистого и легированного Ge в ТГц-диапазоне. В ТГц-диапазоне интересны активные элементы акустооптических устройств из Ge [63].…”
Section: Materials and Coatingsunclassified
“…Основное поглощение в ТГц-области происходит на свободных носителях заряда (собственных и примесных). Если сопоставить результаты по Ge (область λ ~ 160-220 мкм) и данные по Si [62], то они свидетельствуют, что коэффициент ослабления в области 160-220 мкм примерно совпадает и равен ~0,5 см -1 .…”
Section: Materials and Coatingsunclassified
“…С увеличением длины волны из-за поглощения на свободных носителях потери возрастают (рис. 5) [35,[37][38][39]. В области 160−220 µm коэффициент ослабления Ge ∼ 0.5 cm −1 , что сопоставимо с Si [39].…”
Section: высокоомный кремний выращенный методом зонной плавки (Hrfz-si)unclassified
“…5) [35,[37][38][39]. В области 160−220 µm коэффициент ослабления Ge ∼ 0.5 cm −1 , что сопоставимо с Si [39]. На длине волны 140 µm зафиксированы коэффициенты ослабления германия 0.75−1.04 cm −1 , полученные на основе измерений, выполненных с использованием лазера на свободных электронах [37,38].…”
Section: высокоомный кремний выращенный методом зонной плавки (Hrfz-si)unclassified
“…В настоящей работе приводятся результаты исследования пропускания и поглощения в ТГц области щелочно-галоидных монокристаллов (ЩГК) хлористого натрия (NaCl), хлористого калия (KCl), бромистого калия (KBr) и йодистого рубидия (RbI). Работа является продолжением наших предыдущих исследова- ний [12,20], посвященных оптическим материалам для ТГц диапазона.…”
Section: Introductionunclassified