Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного Y

Abstract

Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические, кинетические и магнитные характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Y, в диапазонах: T=80-400 K, NAY~1.9·1020-5.721 см-3 (x=0.01-0.30) и H≤10 кГс. Установлена природа механизма генерирования структурных дефектов, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения ~1% атомов Ni из позиции Hf (4 a) и генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Hf в позиции 4 a атомами Y. Результаты расчета электронной структуры Hf1-xYxNiSn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44095.8129

Synthesis, Structural, Electrical Transport and Energetic Characteristics of ZrNi1-хVxSn Solid Solution

“…Натомість, за умови часткового зайняття атомами V кристалографічної позиції 4а атомів Zr (4d 2 5s 2 ) у кристалі будуть також генеруватися структурні дефекти донорної природи, оскільки у V більше dелектронів. Це приведе до появи енергетичних рівнів домішкової донорної зони і спричинить реалізацію у ZrNi 1-х V x Sn змішаної провідності за участю донорно-акцепторних пар [13]. При цьому знак коефіцієнта термо-ерс α(Т,х) ZrNi 1-х V x Sn та тип основних носіїв струму визначатиме співвідношення концентрацій генерованих у напівпровіднику структурних дефектів акцепторної та донорної природи.…”

Некоторые физические свойства нового интерметаллида NbCd-=SUB=-2-=/SUB=-

“…Установлено, что охлаждение покрытия с содержанием кадмия 47. 4 или сильно легированного полупроводника. Воспроизводимость результатов высокая.…”

“…Последние годы отмечены значительными успехами в совершенствовании известных полупроводниковых соединений [1], а также в поиске новых полупроводниковых материалов [2][3][4][5][6]. При этом использование для данной цели магнетронных технологий открывает новые возможности [7,8].…”

Interaction of the components in the Gd-Mn-Sn ternary system at 873 and 673 K

“…Зважаючи на невисоку температуру плавлення Стануму (505,05 K), більшість вивчених потрійних систем R-M-Sn ( М -d-елемент) досліджені за температури 670 K [12]. Використання в ході дослідження вищої температури відпалу для деяких систем R-{Cu,Ag}-Sn і R-Ni-Sn засвідчило вплив температурного фактору на стабільність тернарних сполук з високим вмістом стануму [13][14][15].…”

“…Порівняльний аналіз дослідженої потрійної системи Gd-Mn-Sn з раніше вивченими {Y, Ce, Dy}-Mn-Sn та відомими в літературі тернарними сполуками [12] показав, що для систем R-Mn-Sn характерно утворення невеликої кількості сполук. Сполуки структурних типів CeNiSi 2 та Gd 3 Cu 4 Ge 4 утворюються тільки в системах з рідкісноземельними елементами церієвої підгрупи.…”