Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические, кинетические и магнитные характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Y, в диапазонах: T=80-400 K, NAY~1.9·1020-5.721 см-3 (x=0.01-0.30) и H≤10 кГс. Установлена природа механизма генерирования структурных дефектов, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения ~1% атомов Ni из позиции Hf (4 a) и генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Hf в позиции 4 a атомами Y. Результаты расчета электронной структуры Hf1-xYxNiSn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44095.8129