Особенности электропереноса в структуре фоторефрактивного легированного кристалла Bi-=SUB=-12-=/SUB=-TiO-=SUB=-20-=/SUB=-:Ru

Abstract

Изучена проводимость кристаллов Bi12TiO20:Ru на переменном токе в интервале частот 102...106 Hz и температур 293...773 K. Анализ экспериментальных данных проводится в рамках модели коррелированных барьерных прыжков. В исследуемом материале потенциальные барьеры обусловлены наличием блочной структуры, дефектов кристаллической решетки, а также присутствием примеси рутения. В легированных монокристаллах титаната висмута определены микропараметры, характеризующие процесс переноса заряда. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках базовой части государственного задания 24/14-ПГЗ. DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44476.363

Влияние Рентгеновского Излучения На Оптические Свойства Фоторефрактивных Кристаллов Силиката Висмута

“…Формирование собственных дефектных центров, преобладающих в кристаллической решетке BSO, связано с изоморфизмом ионов Bi 3+ и Si 4+ в тетраэдрах SiO 4 [9] (рис. 4), в котором принимает участие стереохимически активная электронная одиночная пара 6s 2 иона Bi 3+ [10].…”

Фотодиэлектрический эффект в кристаллах силленита Bi-=SUB=-12-=/SUB=-SiO-=SUB=-20-=/SUB=-

“…Высокое удельное сопротивление силленитов, малая подвижность носителей заряда и наличие широкого спектра локальных состояний в запрещенной зоне обусловливают необходимость применения методов исследования их физических свойств, являющихся традиционными для широкозонных полупроводников и диэлектриков. К эффективным методам изучения динамики зарядовых состояний в кристаллической структуре можно отнести анализ характера поведения диэлектрических параметров [4,5] в различных условиях воздействия внешних факторов. Следует также отметить, что диэлектрическим свойствам кристаллов BSO до настоящего времени не было уделено достаточно внимания.…”