Особенности вольт-амперной характеристики перехода Ti-Si@O@Al

Abstract

The results on measuring the I-V characteristics of the metal-semiconductor transition within the Ti(200nm)|Si@O@Al(179nm)|Ti(203nm) test structure are presented. The basis of the Si@O@Al nanocomposite is a solid solution of Al in amorphous silicon a-Si(Al). The I–V of the test structure has a form characteristic of a reverse-biased ohmic contact between a metal and a p-type semiconductor, which implies that a-Si(Al) is a substitutional solid solution. It is shown that the I-V fits well the framework of the metal-semiconductor transition model and the varistor effect of the nanocomposite. Within the framework of the percolation model, it is shown that the I–V give values of the Si@O@Al resistivity, which are overestimated with respect to the resistance of the a-Si(Al) solid solution.

Удельное сопротивление тонкопленочных электродов Si@O@Al и LiCoO-=SUB=-2-=/SUB=-

“…Например, в работе [8] была предложена структурная модель ТТЛИА электрохимической системы LiCoO 2 −LiPON−Si@O@Al, которая хорошо описывала результаты ЭИС. При этом полученные подгонкой значения сопротивления электродов намного превышали данные циклической вольтамперометрии (ЦВА) для структуры Ti|Si@O@Al|Ti [9] и данные ЭИС для объемных образцов LiCoO 2 [10]. Завышен-ные данные ЭИС могут быть связаны с переходами металл−полупроводник, которые в рамках модели [8] не выделялись в отдельный структурный элемент, как впрочем и в аналогичных исследованиях других авторов [11][12][13][14].…”

“…1 представлены диаграммы Нaйквиста тестовой структуры Ti|Si@O@Al|Ti, полученные при температуре +24 • C при различных смещениях относительно нормально разомкнутой цепи. Как видно из рисунка, при нулевом смещении структура Ti|Si@O@Al|Ti имеет сопротивление R = 7.52 k , тогда как, согласно результатам работы [9], сопротивление такой же структуры при смещении 1 V составляет всего 6.26 . Данные [9] получены по результатам аппроксимации ВАХ, поэтому более достоверны.…”

“…Как видно из рисунка, при нулевом смещении структура Ti|Si@O@Al|Ti имеет сопротивление R = 7.52 k , тогда как, согласно результатам работы [9], сопротивление такой же структуры при смещении 1 V составляет всего 6.26 . Данные [9] получены по результатам аппроксимации ВАХ, поэтому более достоверны. Причина расхождения результатов ны убывать за счет снижения сопротивления контакта и варисторного эффекта.…”