Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C-=SUB=-2-=/SUB=-F-=SUB=-5-=/SUB=-Cl

Abstract

Впервые проведено плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме хлорпентафторэтана (C 2 F5Cl) с учeтом пассивации поверхности продуктами распада реагента. Исследованы элементный состав осаждeнных покрытий, их плотность и морфологические свойства. Установлено, что наиболее гладкий профиль травления реализуется при использовании большого потока фреона и малой eмкостной мощности. В таком режиме анизотропия травления сохраняется на глубине 7 мкм при скорости процесса 230 нм/мин.