Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах

Abstract

Проведено моделирование спектральных характеристик Ge-субэлемента трехпереходных солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge. Показано, что использование нуклеационного слоя GaInP, создающего мелкий диффузионный p−n-переход в Ge, позволяет повысить фотогенерированный ток Ge-субэлемента на ∼ 4.5 mA/cm 2 по сравнению с величиной в случае нуклеационного слоя GaAs, а оптимальная толщина этого слоя (170−180 nm) позволяет дополнительно увеличить фототок на ∼ 1.5 mA/cm 2. Экспериментально продемонстрировано увеличение фотогенерированного тока Ge-субэлемента солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge на 3.9 mA/cm 2 при замене нуклеационного слоя GaAs на GaInP, а также дополнительный прирост на 0.9 mA/cm 2 при использовании оптимальной толщины нуклеационного слоя GaInP.