Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO-=SUB=-x-=/SUB=-/Si-подложках

Abstract

We present the results on the selective-area growth of GaN nanowires using a molecular beam epitaxy technique on patterned SiOx/Si substrates without any seed layers. The patterned SiOx/Si substrates were prepared by the simple microlens photolithography method. The influence of the substrate temperature on the morphological properties of GaN nanowires was investigated. The optimal growth parameters for the selective-area growth of GaN nanowires were experimentally determined.

Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ

“…Кроме того, эффективная релаксация упругих напряжений на стенках ННК обеспечивает рост практически бездефектных структур на рассогласованных подложках. Например, ННК GaN на Si [5] и III-N могут быть синтезированы различными эпитаксиальными методами на аморфных подложках или подложках с высокой степенью шероховатости, при этом сохраняются их высокие кристаллические и оптические характеристики [6,7].…”