Стимулированная электрическим полем фотопроводимость в области 3-8 μm в кремнии с нанокластерами атомов марганца

Abstract

Показано, что, изменяя электрическое поле в материале фоторезистора на основе кремния, легированного атомами марганца с образованием нанокластеров Mn4B, в диапазоне 0.1-30 V/cm, можно изменять красную границу фотоответа и фоточувствительность. Установлено, что, меняя значение электрического поля, удается смещать красную границу фотоответа образцов при T=100 K от 4.6 до 8 μm. Величина монохроматической фоточувствительности при hν=0.4 eV возрастает на 2.5 порядка при изменении поля с 1 до 3 V/cm. Ключевые слова: кремний, кластер марганца, фоточувствительность.