With the formation of binary unit cells based on the AII and BVI, AIII, and BV elements, a heterovarizonic structure was obtained in the near-surface region of silicon, without destroying the crystal structure, without surface states with a thickness of about 5 μm. The resulting heterovarizonic structure has special fundamental parameters that ensure the absorption of light in a wide range of the solar spectrum from UV to IR radiation with λ = 0.1-3 μm, i.e., it covers the entire solar spectrum.

Показано, что в кремнии с нанокластерами атомов марганца наблюдается ряд аномальных фотоэлектрических явлений, таких как примесная остаточная фотопроводимость с большим временем релаксации, инфракрасное гашение фотопроводимости при отсутствии собственного фонового света, гигантская примесная фотопроводимость и примесная суперлинейная ватт-амперная характеристика, связанные с наличием нанокластеров атомов марганца. Природу этих явлений невозможно объяснить существующей теорией фотопроводимости. Такие материалы могут быть использованы для создания новых типов фотоэлектрических приборов. Ключевые слова: кремний, марганец, нанокластер, ИК гашение, фотопроводимость, фотоотклик.

It was found that the silicon preliminarily doped with a high concentration of phosphorus during the diffusion of gallium, there is a significant increase in the solubility of the gallium. The results obtained are explained by the interaction of gallium and phosphorus atoms, as a result of which quasi-neutral molecules [P+Ga-] are formed. It is assumed that the formation of such quasineutral molecules [P+Ga–] stimulates the formation of Si2GaP binary unit cells in the silicon lattice. It is shown that a sufficiently high concentration of such unit cells can lead to a significant change in the electrophysical parameters of silicon, i.e. the possibility of obtaining a new material based on silicon.

Показано, что, изменяя электрическое поле в материале фоторезистора на основе кремния, легированного атомами марганца с образованием нанокластеров Mn4B, в диапазоне 0.1-30 V/cm, можно изменять красную границу фотоответа и фоточувствительность. Установлено, что, меняя значение электрического поля, удается смещать красную границу фотоответа образцов при T=100 K от 4.6 до 8 μm. Величина монохроматической фоточувствительности при hν=0.4 eV возрастает на 2.5 порядка при изменении поля с 1 до 3 V/cm. Ключевые слова: кремний, кластер марганца, фоточувствительность.