Влияние Наличия Достаточно Высокой Концентрации Фосфора На Концентрационное Распределение Галлия В Кремнии

Abstract

It was found that the silicon preliminarily doped with a high concentration of phosphorus during the diffusion of gallium, there is a significant increase in the solubility of the gallium. The results obtained are explained by the interaction of gallium and phosphorus atoms, as a result of which quasi-neutral molecules [P+Ga-] are formed. It is assumed that the formation of such quasineutral molecules [P+Ga–] stimulates the formation of Si2GaP binary unit cells in the silicon lattice. It is shown that a sufficiently high concentration of such unit cells can lead to a significant change in the electrophysical parameters of silicon, i.e. the possibility of obtaining a new material based on silicon.

Диффузия Фосфора И галлия Из Напыленного Слоя Фосфида Галлия В кремний

“…В области физики полупроводников большой интерес представляет создание бинарных комплексов в кристаллической решетке полупроводниковых материалов [1][2][3][4], в первую очередь, кремния. Как известно, элементы III и V групп имеют высокую растворимость в кремнии, однако их коэффициент диффузии имеет сравнительно малые значения, что препятствует образованию квазимолекулярных соединений (комплексов) в узлах решетки кремния [5][6][7][8].…”