Физические Основы Формирования Гетероваризонной Структуры На Основе Кремния

Abstract

With the formation of binary unit cells based on the AII and BVI, AIII, and BV elements, a heterovarizonic structure was obtained in the near-surface region of silicon, without destroying the crystal structure, without surface states with a thickness of about 5 μm. The resulting heterovarizonic structure has special fundamental parameters that ensure the absorption of light in a wide range of the solar spectrum from UV to IR radiation with λ = 0.1-3 μm, i.e., it covers the entire solar spectrum.

Диффузия Фосфора И галлия Из Напыленного Слоя Фосфида Галлия В кремний

“…В области физики полупроводников большой интерес представляет создание бинарных комплексов в кристаллической решетке полупроводниковых материалов [1][2][3][4], в первую очередь, кремния. Как известно, элементы III и V групп имеют высокую растворимость в кремнии, однако их коэффициент диффузии имеет сравнительно малые значения, что препятствует образованию квазимолекулярных соединений (комплексов) в узлах решетки кремния [5][6][7][8].…”