Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением

Abstract

Слои GaMnAs, сформированные импульсным лазерным осаждением, изучались с помощью экваториально-го эффекта Керра (ЭЭК), спектральной эллипсометрии, магнитометрии, а также измерений сопротивления и эффекта Холла. Установлены режимы получения магнитно неоднородных слоев, содержащих обогащенные Mn ферромагнитные области, отличающиеся составом и размерами. Слои, сформированные при температуре 300• C, демонстрируют ферромагнитное поведение ниже 80 K, которое обусловлено присутствием в пара-магнитной матрице локальных ферромагнитных областей (Ga, Mn)As. Обсуждается природа особенностей в спектре ЭЭК этих слоев.Работа выполнена в рамках реализации государственного задания -проект 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России и при поддержке РФФИ (гранты 15-02-02077_а, 15-02-07824_а, и 16-07-01102_а).