Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур alpha-Si/SiO-=SUB=-2-=/SUB=- и alpha-Ge/SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на подложках p-Si, отожженных при разных температурах

Abstract

<jats:p> Исследованы свойства многослойных наноструктур alpha-Si(Ge)/SiO<jats:sub>2</jats:sub>, осажденных на подложки p-Si и отожженных при разных температурах. Общая толщина нанослоя не превышала 300-350 нм. Обнаружено, что, несмотря на образование кристаллов в нанослое, в фотоэлектрических свойствах гетероперехода нанослой--подложка в исследованном диапазоне 300-900 нм не проявляется квантово-размерный эффект. В то же время эффективность фототока (А/Вт) в этом диапазоне становится постоянной. Полученные результаты мы объясняем малой толщиной нанослоя. При приложении достаточно большого запорного смещения электрическое поле перехода нанослой--подложка достигает внешней границы нанослоя, что резко уменьшает поверхностную рекомбинацию носителей. Именно эта рекомбинация обычно подавляет чувствительность фотодетекторов в коротковолновой области спектра. Постоянная в широком спектральном диапазоне эффективность исследованных гетероструктур делает их привлекательными для использования в различных фотоэлектрических приборах. Ключевые слова: многослойные наноструктуры, нанокристаллы полупроводника в диэлектрической матрице, нанослой, эффективность фототока. </jats:p>

Влияние осаждения атомов Ba и имплантации ионов Ba-=SUP=-+-=/SUP=- на электронную структуру монокристаллического Ge

“…В настоящие время в различных приборах твердотельной электроники широко используются Si, Ge и наноструктуры на их основе [1][2][3][4]. В частности, нанофазы и нанослои силицидов и германидов металлов имеют перспективы в создании СВЧ-транзисторов и интегральных схем, а гетероструктуры Ge x Si 1−x /Siв создании светодиодов, фотодетекторов, лазерных источников, оптических и электронных приборов [5][6][7][8][9][10][11][12].…”