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2014 Afin d'améliorer les transitoires dans la fabrication des hétérostructures par épitaxie en phase vapeur et d'étudier la faisabilité de dépôts couche par couche, l'état de surface de substrats InP a été contrôlé par suivi ellipsométrique in situ sous atmosphère de PH3, d'AsH3 et d'InCl à diverses températures. Abstract. 2014 The aim of this study is to improve the quality of substrate surfaces used for epitaxy of heterostructures by H.V.P.E. in protecting them during transient periods between two deposits of different composition. InP substrate surfaces are controlled by ellipsometry in situ under PH3, AsH3 or InCl atmosphere at various temperatures. This work will be useful to determine available conditions of deposit by monolayers.