Рассмотрено получение хранилища дейтерия на спеченных пористых титановых образцах. Рассчитана глубина проникновения ионов дейтерия в поверхность пористого титана, за счет увеличения сопротивления образцов. Показано увеличение сопротивления образцов за счет образования на поверхности диэлектрического слоя дейтерида титана. Найдено, что глубина проникновения ионов дейтерия в поверхности образцов значительно больше по сравнению с классическими представлениями о процессе легирования. Конструкция установки ионного легирования содержит вакуумную рабочую камеру, с рабочим столом для размещения образцов. Ионный пучок поступает из ионного источника в скрещенных электрических и магнитных полях типа Пеннинга. Рабочим газом ионного источника служит дейтерий. Газовое питание ионного источника происходит через специальный штуцер в конструкции ионного источника, соединенный с баллоном дейтерия через специальный натекатель. Рабочая камера откачивается высоковакуумным агрегатом, к которому присоединён на выходе форвакуумный насос. Электрическое питание установки ионной имплантации осуществляется от трех источников питания. Источник питания с напряжением до 5 кВ и током до 100 мА питает газовый разряд источника. Блок питания на 10 кВ питает отрицательным потенциалом мишень, и выходящие из отверстия в катоде ионного источника ионы дейтерия ускоряются на рабочий стол третьим блоком питания до 40 кВ и до 10 мА. Схема приведена на рисунке. Ключевые слова: ионная установка, дейтерий, легирование, глубина проникновения ионов, блок питанияThe acquisition of deuterium storage on sintered porous titanium samples was considered. The depth of penetration of ions on the surface of porous titanium is calculated by increasing the resistance of the samples. An increased number of samples was shown due to the formation of a titanium deuteride dielectric layer on the surface. Found that the depth of penetration in other areas. The design of the ion doping unit contains a vacuum working chamber, with a working table for placing the samples. The ion beam comes from the main source in crossed Penning-type electric and magnetic fields. The working gas of the ion source is deuterium. Gas supply of the ion source occurs through a special fitting in the design of the ion source, connected to a deuterium balloon through a special leak. The working chamber is pumped out by a high-vacuum unit to which the foreline pump is connected at the outlet. Electric power supply of ion implantation is carried out from three power sources. A power source with a voltage of up to 5 kV and a current of up to 100 mA feeds the gas discharge of the source. A 10 kV power supply feeds negative potentials, up to 40 kV and up to 10 mA. The scheme is shown in the figure.