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A simple method to characterize deep levels in high-resistivity materials is described. Excess carriers are optically injected by pulsed light. The detrapping of these carriers leads to a transient current collected between two contacts. The signal is analyzed as in DLTS, i.e., deep level spectra are recorded during temperature cycles. Some examples of the use of this method are given.

2014 Nous présentons une méthode, combinant l'excitation optique et le remplissage électrique de niveaux profonds, qui permet la mesure de la section de capture des pièges de minoritaires pour les porteurs majoritaires : par exemple 03C3n pour un piège à trous dans un matériau de type n. Cette méthode a été utilisée pour caractériser plusieurs centres profonds dans l'arseniure de gallium. Les résultats suivants ont été établis : le principal piège à électrons « EL 2 » n'est pas un tueur de durée de vie; le coefficient de température de l'énergie d'ionisation de plusieurs niveaux, y compris le niveau du chrome utilisé pour l'obtention des cristaux semi-isolants ; de très grandes (10-15 cm2 ou plus), et de très petites (10-21 cm2) sections de capture pour les électrons pour deux des niveaux étudiés ; des mécanismes de capture envisageables sont mentionnés dans ces demiers cas. Abstract. 2014 A method is presented, which combines optical excitation and electrical refilling of deep levels, allowing one to measure the majority carrier capture cross-section for minority carrier traps : e.g., 03C3n for a hole trap in n-type material. This method has been used to characterize many deep levels in gallium arsenide. The following results are obtained : the main electron trap « EL 2 » is not a hole lifetime killer; the temperature coefficient of the ionization energy for several levels, including the Cr level used for compensation in semi-insulating crystals ; very large (10-15 cm2 or more), and very small (10-21 cm2) electron capture cross-sections for two of the levels ; possible capture mechanisms for these last cases are mentioned.