Nous avons étudié les caractéristiques électriques de couches arsenic implanté dans du silicium en suivant l'évolution de la résistance de couche et de l'activité électrique lors de recuits isochromes. Les variations du profil de concentration ont été mesurées à la sonde ionique en fonction de la dose implantée et du recuit. Les implantations ont été réalisées à une énergie de 50 keV, ou 140 keV pour des doses variant de 2 × 1015 à 6 × 1015 at/cm2
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