Nous avons étudié les caractéristiques électriques de couches arsenic implanté dans du silicium en suivant l'évolution de la résistance de couche et de l'activité électrique lors de recuits isochromes. Les variations du profil de concentration ont été mesurées à la sonde ionique en fonction de la dose implantée et du recuit. Les implantations ont été réalisées à une énergie de 50 keV, ou 140 keV pour des doses variant de 2 × 1015 à 6 × 1015 at/cm2

Nous avons étudié l'influence d'implantations d'ions (20 keV-500 keV) à chaud (20 OC-800 OC) sur diverses répartitions d'impuretés (B, P, As, Ga) dans du silicium et du germanium. Les techniques classiques d'analyse se sont révélées insuffisantes. Nous avons donc développé l'interférométrie infrarouge. La méthodedétection optique de la déformation du profil à l'interface couche épitaxiée-substratest non destructive et apparaît comme la meilleure pour l'étude des phénomènes de diffusion contrôlée par irradiation. De plus la diffusion à l'interface couche épitaxiéesubstrat n'est pas perturbée par la surface du semi-conducteur. Parmi les applications possibles de la diffusion contrôlée par implantation, nous étudions la diminution de la résistance série dans les diodes Schottky hyperfréquence. Nous pensons que la réduction de la dispersion des caractéristiques de ces composants grâce à l'homogénéisation de l'interface couche épitaxiéesubstrat est une bonne application de la diffusion accélérée par implantation.

[eng] Statistics of « 44 million in poverty in Europe » have been widely reported, and figures for the proportion in poverty in different countries have entered debates about the allocation of funds in the European Community. This article examines the problem of measuring poverty in rich countries and its relation to social policy, taking for this purpose a case study of France, the United Kingdom and West Germany. It demonstrates the importance of issues which may not be immediately apparent such as whether one considers households or individuals, and the choice of equivalence scale. The authors caution that reliable com- parisons cannot be made of the three countries in the present state statistical knowledge, and go on to argue that the findings need to interpreted in the light of differing social policies. [fre] La comparaison de la pauvreté dans différents pays européens joue un rôle important dans le débat politique, les différences de niveau pouvant servir à évaluer la capacité des politiques à lutter contre la pauvreté et à identifier les priorités dans l'allocation de fonds. Procéder à une telle comparaison nécessite un examen attentif des concepts sous-jacents à l'analyse statistique. Cet article discute plusieurs points méthodologiques déterminants : le choix des sources statistiques, le choix d'un indicateur de pauvreté et de ses caractéristiques, l'unité d'analyse employée, le choix d'une échelle d'équivalence et la détermination d'une ligne de pauvreté. Une sélection d'études nationales sur la pauvreté en France, en RFA et au Royaume-Uni permet de montrer comment les choix effectués affectent les conclusions tirées, tant sur l'étendue que sur la composition des populations pauvres. Les aspects conceptuels des études sur la pauvreté rendent ainsi délicate la comparaison de l'efficacité des politiques sociales de chaque pays. Mais l'existence même de ces politiques affecte également la mesure de la pauvreté, les choix méthodologiques reflétant les choix sociaux : l'utilisation, dans les travaux allemands et anglais, de l'allocation universelle d'assistance comme seuil de pauvreté en constitue un exemple. En France, la mise en place d'une telle aide sociale, le RMI, est plus récente. On peut donc espérer tirer des enseignements des expériences allemande et anglaise.

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