b)Es wurden die thermischen Eigenschaften (Temperaturleitzahl, spezifische Warnie und Warmeleitung) des ZnTe, HgTe und HgSe, bei Temperaturen von 20 bis 540 O C fur ZnTe und von 20 bis 240 "C fur HgTe und HgSe untersucht. Die Messungen wurden a n Einkristallen ausgefuhrt, die nach dem Bridgman-Verfahren aus hochgereinigten Elementen hergestellt worden w-aren.Pie Bnalyse der Temperaturanderung der Gitterwarmeleitfaiiigkeit zeigte, daB sie im Falle des ZnTe durch Umklapp-Prozesse zu erklkren sind, dagegen muB bei HgTe und HgSe auch die Streuung der akustischen Phononen an den optischen Phononen und den Stronitragern in Betracht gezogen werden.

From electrical and optical data, the energy gap vereus composition for Zn,Hgl-,Te system is given. The deviation from the linearity is explained as an effect of the change of the covalent radii of the Zn, Hg, and Te atoms.On prhsente la variation de la bande interdite en fonction de la composition pour les alliagesZn,Hgi -,Te, obtenue B l'aide des mesures Bectriques et optiques. La deviation de la linharite est expliquee comme l'effet du changement des rayons covalents des atomes de Zn, Hg et Te.

No abstract

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The thermal conductivity of CdTe and some solid solutions of CdTe,-, S, and CdTe,-, Se, (z = 0.1 and 0.2) is studied. Measurements are made at temperatures ranging from 90 to 700 OK, on two kinds of monocrystal specimens, prepared from elements of different purity. In specimens synthetized from less pure elements, the thermal conductivity starts to increase with temperature between 300 and 400 OK, whereas in specimens obtained from elements of 99.9999 per cent purity this increase only occurs a t higher temperatures (about 500 OK). The additional thermal conductivity in purer specimens may be ascribed to internal electromagnetic radiation, but in less pure specimens this phenomenon is probably due to ionization of impurities. For impurities in CdTe, the values of ionization energy calculated from the temperature dependence of the thermal conductivity are comparable with those determined by other methods.Es wird die Wiirmeleitfiihigkeit in CdTe und in einigen CdTe,-, S,-und CdTe,-, Se,-Mischkristallen (z = 0,l und 0,2) untersucht. Die Messungen werden im Temperaturbereich von 90 bis 700 OK an zwei verschiedenen Sorten von Einkristallproben, die aus Elementen von verschiedenem Reinheitsgrad hergestellt worden sind, ausgefuhrt . An den aus weniger reinen Elementen hergestellten Proben wird schon im Bereich von 300 bis 400 O K eine Zunahme der Wiirmeleitfiihigkeit beobachtet. An den Proben, die aus Elementen mit einem Reinheitsgrad von 99.9999% bestehen, zeigte sich diese Zunahme nur bei hoheren Temperaturen um 500 O K . In reineren Proben kann man die beobachtete zusiltzliche Wlirmeleitfiihigkeit der inneren elektromagnetischen Strahlnng zuschreiben, wahrend in weniger reinen Proben die Erscheinung wahrscheinlich von der Ionisierung der Verunreinigungen herriihrt. Fur die Verunreinigungen im CdTe sind die Werte der Ionisierungsenergien, die auf Grund der temperaturbedingten Variationen der Warmeleitfahigkeit bestimmt werden, mit den durch andere Methoden erhaltenen Werten vergleichbar.