This paper presents the results of experimental studies of the effect of Si(111) surface modification by Ga-focused ion beam (FIB) at 30 kV accelerating voltage on the features of the epitaxial GaAs nanowire (NW) growth processes. We experimentally established the regularities of the Ga ions’ dose effect during surface modification on the structural characteristics of GaAs NW arrays. Depending on the Ga ion dose value, there is one of three modes on the surface for subsequent GaAs NW growth. At low doses, the NW growth is almost completely suppressed. The growth mode of high-density (up to 6.56 µm−2) GaAs NW arrays with a maximum fraction (up to 70%) of nanowires normally oriented to the substrate is realized in the medium ion doses range. A continuous polycrystalline base with a dense array of misoriented short (up to 0.9 µm) and thin (up to 27 nm) GaAs NWs is formed at high doses. We assume that the key role is played by the interaction of the implanted Ga ions with the surface at various process stages and its influence on the surface structure in the modification region and on GaAs NW growth conditions.

Представлен обзор современного состояния и тенденций развития космическо-го телескопостроения за рубежом. Описываются результаты проводимых в на-стоящее время в ряде стран работ по проектированию и строительству новых высокотехнологических астрономических оптических систем наблюдения за космосом. Основным направлением развития является создание больших опти-ческих телескопов. Такая тенденция связана со стремлением повысить качество получаемых изображений за счет улучшения основных характеристик оптиче-ских телескопов, зависящих от размера апертуры телескопа. В связи с этим возрастают требования к материалу и качеству оптических элементов. Приве-дены сравнительные характеристики оптических материалов, используемых при изготовлении зеркал космических телескопов. Рассмотрены находящиеся на орбите и строящиеся большие оптические телескопы с составными и гибки-ми зеркалами, управляемыми активными системами с целью устранения де-формаций на всех этапах изготовления и эксплуатации. Введение. Значительные научно-технические достижения последнего времени в астро-номии при изучении планет, звезд и галактик, исследовании удаленных районов Вселенной, получении изображений космических и наземных объектов с высоким разрешением стали возможными благодаря развитию новых технологий при разработке крупногабаритных кос-мических телескопов. В настоящее время в ряде стран -США, Японии, Канаде, а также в Европейском космическом агентстве (European Space Agency -ESA) ведутся активные рабо-ты по созданию трех-, шести-и восьмиметровых оптических телескопов. Это обусловлено тем, что основные характеристики оптических телескопов -собирающая способность, про-ницающая сила и разрешающая способность, наряду с другими факторами, зависят от разме-ра апертуры телескопа.Так, проницающая сила и собирающая способность телескопа зависят от площади его объектива, которая при сплошной апертуре пропорциональна квадрату ее диаметра D. Разре-шающая способность в общем случае определяется дифракционным пределом (предложен Рэлеем в 1879 г.)1, 22 / D     , где  -длина волны. С увеличением диаметра главного зеркала телескопа увеличивается и его масса, что приводит к проблеме предохранения поверхности зеркала и элементов конструкции телеско-па от деформаций. Это особенно актуально для космических оптических телескопов, при соз-дании которых необходимо не только обеспечить требуемую жесткость конструкции при

We studied the influence of the arsenic pressure during low-temperature GaAs overgrowth of InAs quantum dots on their optical properties. In the photoluminescence spectrum of quantum dots overgrown at a high arsenic pressure, we observed a single broad line corresponding to unimodal size distribution of quantum dots. Meanwhile, two distinct peaks (~1080 and ~1150 nm) at larger wavelengths are found in the spectra of samples with quantum dots overgrown at a low arsenic pressure. We attributed this phenomenon to the high-pressure suppression of atom diffusion between InAs islands at the overgrowth stage, which makes it possible to preserve the initial unimodal size distribution of quantum dots. The same overgrowth of quantum dots at the low arsenic pressure induces intensive mass transfer, which leads to the formation of arrays of quantum dots with larger sizes. Integrated photoluminescence intensity at 300 K is found to be lower for quantum dots overgrown at the higher arsenic pressure. However, a difference in the photoluminescence intensity for the high- and low-pressure overgrowths is not so significant for a temperature of 77 K. This indicates that excess arsenic incorporates into the capping layer at high arsenic pressures and creates numerous nonradiative recombination centers, diminishing the photoluminescence intensity.

No abstract

No abstract