Features of liquid phase epitaxy of GaSb/InAs heterostructures are considered. A modified method of pulse cooling of saturated solution-melt is offered. This method allows us to avoid InAs substrate dissolution during contact with a Ga-Sb liquid phase. Also it is shown that forming In x Ga 1−x As y Sb 1−y solid solutions due to GaSb epitaxial layer dissolution by InAs substrate is energetically unfavourable.

No abstract

Максимальне надходження сонячної енергії на поверхню приймачів при їх розміщенні паралельними рядами забезпечується мінімізацією затінення одного ряду іншим. Існуючі методики розрахунку надходження сонячної радіації до приймачів в умовах затінення рядами не дають універсальної відповіді на питання щодо оптимального взаєморозташування рядів сонцесприймальних поверхонь і потребують залучення даних щодо умов сонячної інсоляції для конкретної місцевості. Оскільки методики, що базуються на розрахунку абсолютних показників з надходження енергії до поля приймачів, потребують, окрім енергетичних, додаткових критеріїв оптимізації, то варто орієнтуватися на показники з надходження сонячної радіації на одиницю площі сонцесприймальної поверхні, яка затінюється. Метою даної роботи є розрахунок надходження сонячної радіації на одиницю площі сонцесприймальної поверхні частково затіненого ряду та визначення оптимальних параметрів розміщення приймачів паралельними рядами для кліматичних умов півдня України. Представлено методику розрахунку надходження сонячної енергії на частково затінені ряди, що враховує пряму, дифузну, відбиту сонячну радіацію від підстилаючої поверхні та нахиленої поверхні приймачів. Для кліматичних умов м. Херсона отримано вирази, що дозволяють в зручний спосіб без проведення громіздких розрахунків визначити річну питому енергію, яка надходить на одиницю площі затіненого ряду при заданому куті нахилу поверхні та відстані між рядами. Показано, що в якості оптимального кута положення, який визначає відстань між рядами приймачів, доцільно прийняти кут висоти Сонця у сонячний полудень 21 грудня. Визначено оптимальний кут нахилу поверхні приймачів, що забезпечує максимальне річне надходження сонячної радіації на одиницю площі сонцесприймальної поверхні затіненого ряду. Розраховано параметри розміщення приймачів паралельними рядами для інших міст півдня України та визначено середні значення оптимальних кутів положення та нахилу сонцесприймальної поверхні. Бібл. 8, табл. 8, рис. 4.

The features of liquid phase epitaxy of heterostructures are considered. The main requirements for conditions at the substrate/solution-melt interface are defined. The use of a gaseous heat absorber to control the substrate heat flow to provide the required temperature–time profiles at the crystallization interface is proposed. Planar heteroepitaxial GaSb/InAs layers are obtained using a hydrogen gas heat absorber. The correctness of the simulation of heat and mass transfer for the determination of the consumption of the preliminary gaseous heat absorber is demonstrated.