The influence of pH of solution on growth rates of the faces (001), (010). (100) arid habit of TGS and TGSe single crystals was studied. The pH-values were determined when growth of TGS and TGSe crystals was ceased. At p H < 1 diglycine sulphate (DGS) and at, pH < 2 diglycine selenate (DGSe) crystals are growing. The permittivity and resistivity of DGS and DGSe were measured. The resistivity of DGSe is an order of magnitude less than of TGSe for the same temperature. The possible mechanism of change of crystal morfology vs pH, supersaturation of solution and growth temperature is proposed.Der EinfluB des pH-Wertes der Losung auf die Wachstumsgcschwindigkeit von (001). (OIO), (1001, urid den Habit,us von TGSurid TCSc-Einkristallen wurde untersucht. Die pH-Werte wurden nach Beendigung des Wachstums der Kristalle bestimmt. Hci p H < 1 wtichst das Diglyzinsulfat, bei pH < 2 das Selenat. Dielektrizitiitskonstaiite imd spez.Widerstand sind bestimmt worden, wobei der Widerstand des DGSc um eirie GroBenordnung niedriger liegt als der des TGSe bei gleicher Trmperatur. Dcr mogliche Mechanismiis der Anderung der Kristallmorphologio mit dem pH-Wert, dcr i'bersiittigurig der Losiuig wid der n'achstumstemperatiir wird vorgeschlagen.

The critical behaviour of TGS and isomorphous DTGS, TGSe and DTGSe single crystals grown at various conditions was investigated. The growth dependences for E in heating and cooling regimes and shift AT of the temperature of maximal permittivity were found. These dependencies were explained in ternis of existence of internal biasing fields these being measured vs temperature.M3yqeHO tipMTHYeCKOe IlOBeHeHMe MOHOKpIICTaJIJlOB TrC II M3OMOp@HblX aTrC, TrCen, ATrCen, BbIpaUeHHbIX IIpM pa3JIMqHbIX YCJIOBHHX. 3'CTaHOBJIeHbI pOCTOBbIe OXJIPWDeHMR II CDBklra TeMIlepaTypbl MaHCMMYMa AT.

The irifluerice of growth temperature arid supersaturation of solution on domain structure and dielect,ric properties of TGS arid DTGS single crystals was investigated. The qualitative arid quantitative analysis of domain structures was carried out. The optimal growth conditions were found. It proves to be useful to arrange the measured values in table where lines correspond t o growth temperatures and columns -to supersaturations for investigation of optimal growth conditions. The diagonal of extremal values exists in this table. The existence of optimal growth conditions explains in terms of interaction between domain and defect structures.Dcr EinflnB der Wachstumstemperat,ur und der Cbws&t,t igung der Losuiig auf die Domanenstrukt,ur iind die dielektrischen Eigenschaft.en von TGS-und DTGS-Einkrist.allen wurde untersucht. Die qualitative und quaritit.ative Analyse der DomSlrienstrukt.ur wurde vorgenommen. Ebcriso crfolgto die Ermit,tlung der optimalen Wachstumsbedingungen. Die Darstellurig der Ergebnisse erfolgt in einer Tabellc, die die Beziehungen zwischen Wachstumstemperat ur und rbersdttigung zur Auffindung der optimalen 1Vachst)umsbedirigurigen wiedergibt. Die Existenz optimaler Wachstumsbedingungen druckt die \.l'rchselbeziehung zwischen dcr Domiineristruktur und der Defektstruktur aus.