A method is given for the numerical calculation of energy surface integrals within the Brillouin zone like density of states, conductivity, susceptibility, dielectric function etc. The Brillouin zone is divided into tetrahedrons in which the integrand is interpolated linearly. I n this way the integration can be done analytically avoiding the histogram method. Several similar methods are discussed with regard to the quotient of accuracy and effort.Es wird eine Methode zur numerischen Berechnung von Integralen iiber Energieflachen in der Brillouin-Zone wie Zustandsdichte, Leitfihigkeit, Suszeptibilitat, dielektrische Funktion u. a. angegeben. Die Brillouin-Zone wird in Tetraeder eingeteilt, in denen der Integrand linear interpoliert wird. Dadurch kann die Integration unter Vermeidung der Histogramm-Methode analytisch durchgefuhrt werden. Mehrere ahnliche Methoden werden hinsichtlich des Verhaltnisses von Genauigkeit und Aufwand diskutiert.

Elektronenzustandsdichte in d e r Lavesphase MgZn2 Von G. LEHMANN, P. RENNERT, M. TAUT und H. WONN In einer kUrzlich erschienenen Arbeit (I) wird geschildert, wie mit d e r Pseudo-

The Green function Gc of an ideal crystal whose potential is treated in muffin-tin approximation is investigated by means of the multiple scattering formalism. The evaluation of Gc is possible by transforming the equation for Gc corresponding to the transformation used in deriving energy-independent H-NFE-TB schemes for band structure calculations from the KKR equation. Gc is used for the investigation of electronic properties of localized defects representing a perturbation of the muffin-tin potential a t several lattice sites without lattice distortion. The wave function in the neighbourhood of the defect, the Friedel sum rule and the scattering properties of strongly localized defects are studied in detail.Mit Hilfe der Vielfach-Streutheorie wird die Greensche Funktion Gc fur einen idealen Kristall, dessen Potential in der muffin-tin-Naherung behandelt wird, untersucht. Die Berechnung von Gc gelingt durch eine Transformation der Bestimmungegleichung, die der bei der Ableitung von energieunabhangigen H-NFE-TB-Schemata fur Bandberechnungen aus den KKR-Gleichungen benutzten entspricht. Gc wird fur die Behandlung elektronischer Eigenschaften lokalisierter Defekte, die eine Storung des muffin-tin-Potentials auf mehreren Gitterplatzen darstellen, aber das Gitter selbst nicht verzerren, verwendet. Genauer untersucht werden die Wellenfunktion in der Umgebung des Defekts, die Friedelsche Summenregel sowie die Streueigenschaften stark lokalisierter Defekte.

Starting from real grown crystals and their habit the binding energies of a molecule for different crystal directions are estimated and some ideas about the electronic surface morphology are given. The high concentration of lattice defects on the surface causes their interaction which leads to a quasicontinuous energetic distribution of traps. The microstructure of the distribution can be referred to the geometry of the crystal lattice. The theoretical resulte agree excellently with the experiments.Ausgehend vom Habitus makroskopischer Kristalle werden Schliisse auf die Bindungsenergien der Molekiile in verschiedenen Kristallrichtungen gezogen und Vorstellungen fiber das elektronische Oberfliichenrelief gewonnen. Die hohe Haftstellenlronzentration an der ICristalloberfliiche verursacht eiue energetische Wechselwirkung der Stiirpotentiale, die zum Auftreten einer quasikontinuierlichen Energieverteilung der Haftstellen fiihrt. Die innere Struktur der Verteilung la5t sich auf die Kristallgittergeometrie zuriickfuhren. Die theoretischen Ergebnisse decken sich ausgezeichnet mit den experimentellen Befunden.

BYResults of calculations of residual resistivity, thermoelectric power, Dingle-temperature, changes in electronic specific heat, and superconducting critical temperature due to 3d-transition metal impurities in A1 are presented. The impurities are described in terms of muffin-tin potentials, calculated with the Mattheiss construction and the Friedel sum rule. The results are compared with experimental data and show a qualitative agreement.Es werden Berechnungen von Restwiderstand, Thermokraft, Dingletemperatur, h d e r u n g des Elektronenanteils der spezifischen Wiirme und der Sprungtemperatur fur 3d-ubergangsmetallpunktdefekte in A1 vorgestellt. Die Punktdefekte werden durch muffin-tin-Potentiale beschrieben, die unter Verwendung der Mattheiss-Konstruktion und der Friedel-Summenregel berechnet wurden. Die Resultate werden mit experimentellen Werten verglichen und zeigen qualitative Ubereinstimmung.