In certain cases, this route seems to be more favorable than the so-called Mohlau-Bischler indole synthesis [78] in which co-bromoketones react with aromatic amines.A novel electric-arc device, with a torch consuming 100 to 240 amps DC has been developed. In previous apparatus of this kind, both reactants passed through the arc together, but now only one component (e.g., hydrogen or nitrogen) is heated in this new process. The temperature of this component is raised to a point where it exists in a highly excited state or dissociates into free atoms and then leaves the arc in a stream with supersonic velocity through a hole drilled in the anode, being then mixed with the other reactant. The resultant mixture is then immediately quenched. The design and operation of the torch as well as the mixing and quenching procedures are discussed. The preparation of chlorosilanes, titanium trichloride, titanium nitride, and hydrazine by this method is described.

In-situ Phosphorus Doping of LPCVD poly Silicon in the Temperature Range -950 KHighly in-situ phosphorus-doped LPCVD poly silicon deposition from mixtures consisting of silane and phosphine has been investigated for limited conditions regarding temperature, silane input, phosphine-silane ratio and total pressure. Agreeing with the deposition of undoped poly silicon, growth rate linearly decays along the axis of the wafer cage applied for in-situ doped poly silicon. In consequence layer growth should be controlled by a chemical reaction of OSth order. In contrast to undoped poly silicon the slope of axial growth rate decay increases with the distance between wafers increased. This behaviour is a proof for a homogneous chemical reaction mechanism. The silicon forming reaction is characterized by an activation energy of about 25 kcal/mole for PH,/SiH, = 0.003. Die Abscheidung von in-situ hochdotiertem LPCVD poly Silicium aus Silan und PhosphinGasmischungen wurde fur einen eingeschrankten Bereich von Temperatur, Silaneinspeisung, PH,/SiH,-Verhaltnis und Totaldruck untersucht. In ubereinstimmung mit dem Verhalten von undotiertem poly Silicium nimmt die Schichtwachstumsrate linear langs der Achse des im vorliegenden Fall verwendeten Scheibenkafigs ab. Das deutet auf eine Reaktion mit der Ordnung 1/2 hin. Im Gegensatz zum Verhalten von undotiertem poly Silicium nimmt der Anstieg des axialen Wachstumsrateabfalls zu, wenn der Scheibenabstand vergroBert wird. Dieses Verhalten wird theoretischerseits fur eine Homogenreaktion im Gas erwartet. Die Aktivierungsenergie der Silicium bildenden chemischen Reaktion betragt ca. 25 kcal/Mol fur ein PH,/SiH, = 0,003.

LPCVD poly Silicon Formation in the Temperature Range 900-950 K LPCVD poly Silicon deposition form silane has been investigated for limited conditions regarding temperature, silane input and pumping speed. It has been found that layer growth is controlled by a chemical reaction of O.Sth-order in consequence of which growth rate linearly decays along the axis of an open isothermal reactor tube. The slope of that decay is determined not only by the reaction rate constant but also by linear gas velocity within the tube and that part of total substrate surface area that is effectively exposed to silane at each wafer position. In conseqence growth rate decay is the steeper not only the higher temperature will be chosen but also the slower gas velocity is adjusted and the smaller wafers are separated to each other. The kind of how axial layer growth rate distribution is effected by changing wafer spacing is a proof for the heterogeneous reaction mechanism. The silicon forming reaction is characterised by an activation energy of about 52 kcal/mole.Es wurde die Abscheidung von poly Silicium aus Silan fur einen eingeschrankten Bereich von Temperatur, Silaneinspeisung und Totaldruck des LPCVD-Prozesses untersucht. Dabei wurde gefunden, daO das Schichtwachstum iiber eine chemische Reaktion der 0.5-ten Ordnung stattfindet, als deren Folge ein hearer Abfall der Schichtwachstumsgeschwindigkeit langs der Achse des offenen isothermen Rohrreaktors auftritt. Die Steilheit dieses Abfalls wird nicht allein durch den EinfluD der Geschwindigkeitskonstanten der Silicium bildenden Reaktion sondern auch durch den der linearen Gasgeschwindigkeit im Rohr und durch den desjenigen Anteils der Substratoberflache, der an jeder Scheibenposition effektiv der Silaneinwirkung ausgesetzt ist, bestimmt. Deshalb ist die Steilheit des Wachstumsgeschwindigkeitsabfalls nicht nur urn so grorjer je hoher die Temperatur gewahlt, sondern auch je geringer die Gasgeschwindigkeit eingestellt wird und je weniger weit die Scheiben voneinander angeordnet werden. Aus der Art der Abhangigkeit der axialen Wachstumsgeschwindigkeitsverteilung vom Abstand der Substratscheiben untereinander kann eindeutig auf einen heterogenen Reaktionsmechanismus geschlossen werden. Die Aktivierungsenergie der Silicium bildenden chemischen Reaktion betragt ca. 52 kcal/Mol.

In-situ Doping of and Trench-Refill with LPCVD-poly-Silicon (I).(PHs/SiH4) Ratio as a Process-Controlling Parameter The ratio of phosphine-t o silaiie concentration in the reaction gas mixture is a processcontrolling parameter in LPCVD-polysilicon deposition not only with respect to doping level of the layer and layer growth rate on planar wafer surface, but also with respect t o tlie degree of growth rate depression occurring by change-over from wafer surface to sidewall area within trenches in the region of the upper rim of a trench. Trench refill behaviour deteriorates in consequence of growth rate depression within trench the more the higher the doping level of ply-silicon will be chosen. Yet below a lower limit of doping poly-silicon growth rate equals that of undoped poly-silicon, and, as for trench-refill, there is no difference in layer growth within trench and beyond.Das Verhiiltnis der Phosphin-und der Silaiikonzentration in1 Reaktionsgas stellt fur die LPCVD-poly-Silicium Abscheidung einen ProzeQsteuerparanieter niclit nur beziiglich des Dotierungsgrades der Schicht und der Schichtwachsturnsrate auf der ebeiien Scheibenoberflache dar, sondern auch einen solchen bezuglicli der GrGISe der Wachstumsrateminderung, die beim Cbergang von der Scheibenoberflachr zur Seitenwandflache iiii Inneren eines Trenches im Bereicli des oberen Randes auftritt. Das Trenchauffullverhalten verschleclitert sicli infolge dieser Schichtwachsturnsratenverrninderung um so mehr, je holier der Dotierungspegel des ply-Siliciums gewiihlt wird. Unterhalb einer unteren Dotierungsgrenze jedoch ist die Schiclitwachsturnsrate ebenso groQ wie die fur undotiertes ply-Silicium und, was das Trenchauffiillen hetrifft, es ist lrein Unterscliied fur die Schichtwachstnmsrate aurJerhalb und innerhalb eines Trenches x-orhanden.

No abstract