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An investigation of the defect structure of silicon homoepitaxial layers, as influenced by gas phase etching, deposition temperature, and substrate properties, is presented. The minimum values of etch removal and deposition temperature necessary for sufficient layer perfection have been determined. The defect and impurity distribution in the substrate, as formed during a preceeding arsenic buried layer processing, have been evaluated and are discussed here with regard to their influence on the epitaxial layer perfection. Es wurde die Realstruktur homoepitaktischer Siliziumschichten in Abhangigkeit vonGasphasenatzung, .. Ahscheidetemperatur und Substrateigenschaften untersucht. Die Minimalwerte fur Atzabtrag und Ahscheidetemperatur, bei denen noch eine hinreichende Schichtperfektion erzielt wird, wurden ermittelt. SchlieBlich wurden die Defekt-und Verunreinigungsverteilungen, die sich nach einer Praparation arsendotierter Gehiete in den Substraten ergeben, hestimmt und ihre moglichen Auswirkungen hinsichtlich der Schichtperfektion diskutiert.

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