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Bis zu 30 μm dicke Siliziumschichten, die durch thermische Zersetzung von SiCl4 bei ca. 1200 °C in Wasserstoffatmosphäre auf synthetischen Spinelleinkristallen epitaxial abgeschieden worden waren, konnten mit Hilfe der Methode der Ionenätzung bis auf eine Dicke von 0,1 bis 0,5 μm abgetragen werden. Diese gedünnten Schichten ließen sich im Elektronenmikroskop durchstrahlen und untersuchen. Dabei zeigte sich, daß im auf solche Weise hergestellten Silizium verschiedene Arten von Kristallbaufehlern enthalten sind, nämlich viele primäre Wachstumszwillinge und Versetzungen, gelegentlich auch sekundäre Wachstumszwillinge und Tripyramiden. Der kristallographische Nachweis der Zwillingsnatur geschah durch Kombination von Elektronen‐Feinbereichsbeugung und elektronenmikroskopischer Dunkelfeldabbildung. Der Einfluß der Kristallstörungen auf die elektrischen Eigenschaften der Siliziumschichten wird diskutiert.