Kristallbaufehler beim epitaxialen Wachstum von Silizium auf Magnesium–Aluminium‐Spinell

Abstract

Bis zu 30 μm dicke Siliziumschichten, die durch thermische Zersetzung von SiCl4 bei ca. 1200 °C in Wasserstoffatmosphäre auf synthetischen Spinelleinkristallen epitaxial abgeschieden worden waren, konnten mit Hilfe der Methode der Ionenätzung bis auf eine Dicke von 0,1 bis 0,5 μm abgetragen werden. Diese gedünnten Schichten ließen sich im Elektronenmikroskop durchstrahlen und untersuchen. Dabei zeigte sich, daß im auf solche Weise hergestellten Silizium verschiedene Arten von Kristallbaufehlern enthalten sind, nämlich viele primäre Wachstumszwillinge und Versetzungen, gelegentlich auch sekundäre Wachstumszwillinge und Tripyramiden. Der kristallographische Nachweis der Zwillingsnatur geschah durch Kombination von Elektronen‐Feinbereichsbeugung und elektronenmikroskopischer Dunkelfeldabbildung. Der Einfluß der Kristallstörungen auf die elektrischen Eigenschaften der Siliziumschichten wird diskutiert.

Comprehensive test pattern and approach for characterizing SOS technology

“…(1) Individual test structures on the circuits (usually on the periphery) (2) Collections of individual test structures on the wafer with the circuits but at certain selected sites only (called diagnostic keys, test runs, test element groups, etc) (3) An actual circuit Those falling into the second division are: (4) Defect-sensitive test patterns, dedicated spatial resolution patterns, other patterns dedicated to specific purpose (5) Whole wafers of type 2 above (6) Comprehensive test vehicles Types 1, 2, and 3 have the property that they must have been processed with the exact process used for making operating circuits while types 4, 5 and 6 may not have been processed exactly as a circuit.…”

“…These fundamental differences arise from two basic sources. The first is the lack of an isopotential "substrate" in the SOS case, and the second (and generally, more important) is that the silicon used for SOS has many defects (largely planar) [5,6],…”

“…These masks have been used for some limited bulk silicon work which will not be described here. (5) Partial Processing . If only a part of a process is of interest, it may not be necessary to use all of the mask levels.…”

“…The population above the center peak is due to open circuits (=^40 V was the maximum possible voltage for this test) . (5) Testing Method -Saturation Characteristics; The Kink -As mentioned before, the drain characteristics of SOS transistors usually do not exhibit the simple form commonly found on bulk silicon transistors.…”

“…Photomicrographs of gate-controlled bridge resistors; (a) n"*" contacts (1-5), (b) p+ contacts (1)(2)(3)(4)(5)(6) 48. Field-effect mobilities, (a) n-channel wafer 2, (b) p-channel wafer 2, (c) n-channel wafer 1…”