The "spin"-lattice relaxation of the two-level system of the strain-split acceptor ground state of Si(B) is determined from the temperature dependence of the ultrasonic relaxation attenuation, around 10 K. It is found that Raman relaxation alone does not fit the results but that, in addition, an Arrhenius-type of relaxation, possibly due to a Jahn-Teller effect, is involved. The transverse relaxation is obtained from intensity-dependent and hole-burning measurements of the resonant attenuation. At small acceptor concentrations it is determined by "spin"-lattice relaxation alone ; for higher concentrations an additional temperature-independent interaction term is found much smaller than expected for elastic dipole or exchange interaction.Die ,,Spin"-Gitter-Relaxation des Zweiniveausystems des Akzeptorgrundzustandes von Si(B) wird durch Messung der Ultraschallrelaxation im Bereich um 10 K untenucht. Ramanprozesse allein reichen zur Beschreibung der Resultate nicht Bus. Es ist noch eine Arrhenius-Relaxation beteiligt, die wir dem Jahn-Teller-Effekt zuschreiben. Die transversale Relaxation wird aus intensitatsabhangigen und hole-burning-Meseungen der Resonanzdimpfung bestimmt. Bei kleinen Azeptorkonzentrationen ist die ,,Spin"-Gitter-Relaxation allein mal3gebend; bei hoheren Konzentrationen kommt ein temperaturunabhingiger Wechselwirkungsterm hinzu, der aber kleiner ist, als es fur elastische Dipol-oder Austauschwechselwirkung erwartet wird.

The splitting distribution of the acceptor ground state of Si(B) is determined from the frequency dependence of the ultrasonic resonance attenuation and from acoustic paramagnetic resonance. In the purest crystals a residual distribution is found of unknown origin. In crystals containing carbon or oxygen at concentrations above about 10z2 m-s the distribution is broadened in rough accordance with statistical estimates.Die Aufspaltungsverteilung des Akzeptorgrundzustandes von Si( B) wird aus der Frequenzabhgngigkeit der Ultraschalldlmpfung und aus der akustiachen paramagnetischen Resonanz ermittelt I n den reinsten Kristallen wird eine restliche Verteilung unbekannter Herkunft gefunden. In Kristallen mit Kohlenstoff und Sauerstoff in Konzentrationen oberhalb etwa loz2 m-3 ist die Vertailung verbreitert in ungefahrer Ubereinstimmung mit statistischen Abschatzungen. 1) D-7000 Stuttgart, FRG. 2) Part I see phys. stat. sol. (b) 111, 213 (1982). 36 *

The distribution of strain fields from specified defects in otherwise pure silicon crystals is reflected in the resulting distribution of splittings E of the partially orbitally degenerate rs ground state of effective mass acceptors. The spectral density N(E) can be probed by resonant scattering of h\l " E ultrasonic r IJ or 3.

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