No abstract

No abstract

Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие (до 1 мкм) пленки AlGaAs и GaP на крем-ниевых подложках. Проанализированы методы снижения количества структурных дефектов в полученных пленках, определено влияние механических напряжений на гетероструктуры AlGaAs/Si, GaP/Si методом комбинационного рассеяния света. Исследовано применение Al 0.3 Ga 0.7 As и GaP в качестве широкозонного окна кремниевого фотопреобразователя. Исследованы спектральные характеристики фотоэлементов на основе Al 0.3 Ga 0.7 As/Si и GaP/Si. Данные гетероструктуры могут быть использованы в качестве первого p−n-перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния. Одним из путей решения этой задачи является поиск некоторых технологических усовершенствова-ний, направленных на снижение количества дефек-тов кристаллической структуры на границе пленка A III B V − подложка Si , а также нахождение таких мето-дов получения, которые могли бы заметно упростить и удешевить процесс выращивания гетероструктур GaP/Si, AlGaAs/Si без потери качества.Основными проблемами получения слоев соединений A III B V на подложках Si являются большое рассогласова-ние постоянной решетки, а также коэффициента терми-ческого расширения (КТР). Различие в этих параметрах порождает возникновение прорастающих дислокаций в эпитаксиальных пленках A III B V и, как следствие, сниже-ние эффективности солнечных элементов на их основе.Влияние решеточного рассогласования можно сни-зить, получая слои, близкие по параметру решетки к кремнию (например, слои GaP или In x Ga 1−x P), влияние же разницы КТР пленки и подложки снизить более проблематично. Добиться снижения количества прорас-тающих дислокаций возможно при низкой температуре получения пленок. Таким образом, для пленок соедине-ний A III B V на кремниевых подложках при согласовании параметров решетки критичным оказывается большая разница в КТР пленки и подложки. Очевидно, что по-нижение температуры выращивания будет являться од-ним из основных путей получения монокристаллических пленок A III B V на Si с низкой плотностью прорастающих дислокаций.Наиболее перспективным в этом отношении методом, обеспечивающим низкотемпературный синтез тонких пленок A III B V , является метод импульсного лазерного напыления (ИЛН). Качество пленок, получаемых мето-дом ИЛН, сопоставимо с качеством пленок, синтезиру-емых методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), этот факт подтверждается в работе [7]. Немаловажным достоинством метода ИЛН, кроме уже упомянутого низкотемпературного роста эпитаксиальных пленок, яв-ляется точный контроль толщины напыляемой пленки.Целью данной работы является получение тонких пленок Al 0.3 Ga 0.7 As и GaP на Si, исследование их струк-турных свойств и спектральных характеристик ФЭП AlGaAs/Si и GaP/Si. Методики эксперимента

No abstract

No abstract