У роботi дослiджено 3D-надґратку сферичних квантових точок (КТ) кристала GaAs у матрицi AlxGa1−xAs(x = 0.2, . . . , 1.0). У наближеннi сильного зв'язку отримано i проаналiзовано закони дисперсiї електронiв. Детально обчислено залежнiсть E = E(k) для 1s-та трьох 1p-пiдзон для рiзних радiусiв КТ та концентрацiй Al у матрицi AlxGa1−xAs. Проаналiзовано залежностi густини електронних станiв вiд енерґiї в дослiджуваних пiдзонах. Показано, що густина станiв як функцiя енерґiї суттєво залежить вiд розмiру КТ, вiдстаней мiж КТ та концентрацiї х.Отримано формулу для коефiцiєнта поглинання при прямих мiжпiдзонних переходах, який виражається через квадрат матричного елемента електронного переходу та комбiнованої густини станiв. Обчислення показали, що в дипольному наближеннi електроннi переходи дозволенi мiж 1s-та 1pz-пiдзонами. Коефiцiєнт поглинання як функцiя частоти електромагнiтної хвилi характеризується двома максимумами, що вiдповiдають переходам електронiв з хвильовими векторами в центрi та на краю зони Брiллюена.Ключовi слова: квантова точка, надґратка, електроннi стани, густина станiв, коефiцiєнт поглинання.

No abstract

No abstract

No abstract

No abstract