The effect of both the complexity of the two upper valence bands as well as the electron-hole exchange interaction on the exciton binding energies in wurtzite-type semiconductors is studied. The energy level scheme and explicit expressions for the lowest exciton states of both A and B series are given. Using recent very accurate experimental data on exciton energies in CdS, the averaged B band hole mass is estimated to 1.6m0, and the position of the n = 1 B(r,) exciton level to about 0.2 meV below the transverse B(r,) level. The longitudinal-transverse splitting of r5 excitons is calculated from a microscopic approach in excellent agreement with experimental data taking into account an interband momentum matrix element P& = 21 eV screened by a background dielectric constant E' = 8. The exchange parameters introduced by Cho are determined for CdS to 3j0 N 1 meV and 9j, = 2.1 meV.Es wird der EinfluS sowohl der komplexen Bandstruktur der beiden oberen Valenzbander als auch der Elektron-Loch-Austauschwechselwirkung auf die Exzitonenbindungsenergie in Wurtzit-Halbleitern untersucht. Das Energieniveauschema und explizite Ausdriicke fur die Grundzustande der A-und B-Exzitonen werden angegeben. Unter Verwendung von neueren sehr genauen experimentellen Werten der Exzitonenenergie in CdS werden die gemittelte B-Band-Lochmasse zu 1,6m0 und die Lage des n = 1 B(r?)-Exzitonenniveaus zu 0,2 meV unter dem transversalen B(I',)-Niveau bestimmt. Die Longitudinal-Transversal-Aufspaltung der r,-Exzitonen wird im Rahmsn einer mikroskopischen Theorie in sehr guter ubereinstimmung mit experimentellen Werten bestimmt, wobei das Interband-Impuls-Matrixelement P& = 21 eV mit einer ,,background"-Dielektrizitatskonstante E' = 8 abgeschirmt wird. Die von Cho eingefiihrten Austauschparameter ergeben sich fur CdS zu 3j0 = 1 meV und 9j, = 2,l meV. l) Now a t : Sektion Wissenschaftstheorie und -organisation der Humboldt-Universitat zu Berlin, Bereich Wissenschaftsgeschichte.

A lower bound for the biexcit.on binding energy in wurtzite-type semiconductors is calculated using a G4 X 64 matrix Hamiltonian obtained by the k -p method which takes into account the interband coupling-induced nonparabolicity of the two upper valence bands A and B as well as t,lieir different anisotropies and symmetries.