No abstract

The paper presents the results of experimental investigations of the phenomenon of electro-resistance memory in the Ag/YBa 2 Cu 3 O 7-x /Ag thin-film structure at room and liquid nitrogen temperature. On the basis of the obtained voltage-current and amplitude characteristics, the threshold values of the resistive switching voltage were determined. Differences in the levels of these voltages at different switching directions and temperatures are explained using a mechanism based on oxygen ion electro-diffusion via oxygen vacancies. Using the mathematical model of this mechanism on the basis of the switching voltage values obtained, the thickness of layers depleted in oxygen ions were determined, which play a fundamental role in the switching process. The obtained thicknesses from 1.2 to 10.6 nm are consistent with the literature data for similar structures. Streszczenie. W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych zjawiska pamięci elektrorezystancyjnej w strukturze cienkowarstwowej Ag/YBa 2 Cu 3 O 7-x /Ag w temperaturze pokojowej i ciekłego azotu. Na podstawie uzyskanych charakterystyk napięciowo-prądowych i amplitudowych wyznaczono wartości progowe napięcia przełączania rezystancji. Różnice poziomów tych napięć przy różnych kierunkach przełączania oraz temperaturach wyjaśniono za pomocą mechanizmu opartego na elektrodyfuzji jonów tlenu poprzez wakansy tlenowe. Wykorzystując model matematyczny tego mechanizmu na podstawie otrzymanych wartości napięcia przełączania wyznaczono grubości warstw zubożonych w jony tlenu, które odgrywają zasadniczą rolę w procesie przełączania. Otrzymane grubości od 1,2 do 10,6 nm są zgodne z danymi literaturowymi dla podobnych struktur. (Pomiar grubości warstwy zubożonej w tlen w strukturach Ag/YBa 2 Cu 3 O 7-x /Ag pamięci elektrorezystancyjnej).

No abstract

No abstract

Literature referring to superconductor optoelectronic switches report about curious phenomenon of improvement of dynamical properties as a result of introduction of a thin, low thermal conductivity buffer layer. Present paper is a trial of interpretation of this phenomenon basing on analysis of non-stationary temperature fields within the element's structure. The analysis has been made using the method ofnumeric modelling ofthermal processes occurring within the thin-layer structure consisting of high4emperature superconductor YBa2Cu3O7 sputtered over the LaAlO3 substrate and separated with an intermediate SrTiO3 layer. Numeric modelling is very difficult due to strong nonlinearity of resistivity in relation to temperature and current. The essential reason of shortening of key's switch-off time is the fact that the buffer layer limits heat diffusion towards the substrate during switching-on time; as a result its switchingoff occurs through heat abstraction towards the high thermal conductivity substrate which temperature is lower than the superconductor's switchoff temperature.