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The PERC solar cell family is manufactured by the industry because the passivation of both faces can improve the efficiency. The passivation and anti-reflective (AR) coating is usually performed using silicon nitride. However, the silicon dioxide may produce a good passivation in the emitter and in the boron BSF. The goal of this paper is to present the analysis of the TiO2 AR coating in PERT solar cells passivated with SiO2. Based on previous studies, the dry oxidation was performed at 800 °C and 860 °C, growing the SiO2 layer on the phosphorus emitter of 50 nm and 60 nm, respectively. The thickness of the TiO2 AR coating evaporated by ebeam technique was optimized and the SiO2/TiO2 double layer was analyzed by the comparison of the electrical parameters and internal quantum efficiency of the PERT solar cells and the reflectance of the double layer. The efficiency of 16.8 % was achieved with 37 nm TiO2 coating and SiO2 layer grown at 800 ºC. The firing of the conductive pastes reduced the thickness of the SiO2/TiO2 layer and the lowest weighted average reflectance was 2.8 %. The solar cells with thinner TiO2 coat presented low internal quantum efficiency in wavelengths higher than 700 nm.

A dopagem com boro das lâminas de silício para produção de células solares foi estabelecida como padrão nos anos 60, como resultado do uso inicial destes dispositivos em aplicações espaciais. No entanto, demonstrou-se que a dopagem com boro em todo o substrato pode produzir problemas de degradação das características elétricas das células solares de uso terrestre. Além disto, nas lâminas de silício cristalino tipo n, dopadas com fósforo, observam-se maiores tempo de vida dos portadores de carga minoritários, proporcionando a fabricação de células solares mais eficientes. O objetivo deste trabalho foi comparar as características elétricas de células solares n+np+ com filme antirreflexo de óxido de titânio obtido por evaporação em alto vácuo com feixe de elétrons (E-beam) e por deposição química em fase vapor sob pressão atmosférica (APCVD). As células solares com filme AR depositado por APCVD obtiveram eficiência média maior, devido a um maior fator de forma, proporcionado por uma perfuração eficaz deste filme pela pasta metálica de prata. As células solares mais eficientes apresentaram eficiências de 14,7 % para ambos os processos de deposição utilizados.

As células solares típicas da indústria possuem um emissor frontal formado por fósforo e um campo retrodifusor homogêneo formado por pasta de alumínio, que provoca o abaulamento das células solares. A formação de um campo retrodifusor seletivo de boro e alumínio evita o abaulamento. O objetivo deste artigo é apresentar o desenvolvimento do campo retrodifusor seletivo de boro e alumínio em células solares industriais processadas em lâminas de Si-Cz, grau solar. Otimizou-se a temperatura de queima das pastas de metalização e a temperatura de difusão de boro. Para formar o campo retrodifusor seletivo, a difusão de boro foi implementada em toda a face posterior da lâmina de silício e por serigrafia foi depositada a pasta de alumínio, somente nas trilhas metálicas. A resistência de folha média no emissor de fósforo foi de 56,4 Ω/ e na região com boro do campo retrodifusor variou de 21,8 Ω/ a 73,8 Ω/. A temperatura de queima (TQ) das pastas metálicas, que forma o campo retrodifusor seletivo nas trilhas metálicas, foi variada de 850 °C a 880 °C. Constatou-se que, em média, a melhor TQ ocorreu em 860 °C - 870 °C e a variação da eficiência em função da temperatura de queima foi inferior a 0,9 % (absoluto). O maior fator de forma resultou na maior eficiência média de 15,3 %. A densidade de corrente de curto-circuito praticamente não foi afetada pela TQ e pela temperatura de difusão de boro. A maior eficiência, de 15,7 %, foi obtida para a temperatura de difusão de boro de 960 °C e TQ de 880 °C e verificou-se que a tensão de circuito aberto tende a aumentar com o aumento da temperatura de difusão de boro.