No abstract

УДАРНАЯ ИОНИЗАЦИЯ В КОРОТКИХ ДИОДАХ НА ОСНОВЕ Al z Ga 1-z NОсвоение миллиметрового и терагерцевого диапазонов является одной из актуальных задач радиофизики. Однако на се-годняшний день набор активных элементов, способных работать в указанных диапазонах, ограничен. Ударная ионизация в широко-зонных нитридных соединениях является быстропротекающим процессом и может быть использована в активных элементах ука-занных диапазонов. В данной работе исследуется перенос заряда в коротких (с длиной активной области менее 0,3 мкм) диодных структурах на основе AlzGa1-zN с целью определения условий возникновения и особенностей ударной ионизации, а так же ее влия-ния на характеристики приборов. Показана возможность получения локализованной области с высокой напряженностью электри-ческого поля, достаточной для возникновения ударной ионизации и управления ею путем изменения распределения состава AlzGa1-zN по длине диода. Результатом исследований является определение основных закономерностей развития ударной ионизации в пред-ложенных диодных структурах. Они являются ориентиром для дальнейшего детального анализа физических процессов и практиче-ской реализации таких структур. Ил. 8. Библиогр.: 10 назв.Ключевые слова: диоды, ударная ионизация, гетеропереход, варизонный слой, домен, напряженность электрического поля.