Ao amigo e conselheiro Prof. Dr. Roberto Koji Onmori, que esteve presente desde o início, sempre que precisei, e sem o qual eu talvez não tivesse seguido o caminho que escolhi. Ao Prof. Dr. Marcos Massi, pelo carinho e atenção dispensados no meu Exame de Qualificação. Ao Prof. Dr. Jose Fernando Diniz Chubaci do LACIFID-IFUSP, por todo o apoio técnico e moral. Ao Prof. Dr. Luis da Silva Zambom, pela ajuda geral, tanto na utilização da sala limpa quanto em métodos de caracterização. Aos técnicos do LSI-EPUSP Nelson Ordonez, Carlos Araújo e Rubens Pereira pela paciência e carinho. Ao técnico do IFUSP Antônio Carlos Silveira pelas conversas, risadas e dicas preciosas. Ao amigo Álvaro Diego Maia e ao Prof. Dr. Alain Quivy, do LNMS-IFUSP, pela ajuda e atenção. À Prof.ª Dr.ª Maria Cecília Salvadori, do LFF-IFUSP, pela ajuda com as medições de EDX. A todos os alunos de graduação e de pós-graduação da EPUSP com os quais tive contato e que tanto me ensinaram. À minha família, que sempre me incentivou e me trouxe muito amor. Aos meus amigos de infância e adolescência, que ainda hoje estão presentes em minha vida. À CAPES e à Comissão de Bolsas, pelo apoio financeiro. RESUMO O óxido de índio dopado com estanho é um semicondutor degenerado de alta transparência no espectro visível e alta condutância elétrica. Por suas propriedades, ele é utilizado como eletrodo transparente em diversas aplicações. Algumas destas aplicações exigem que os filmes sejam depositados sobre substratos poliméricos, que degradam em temperaturas acima de 100 °C. Por este motivo, métodos de deposição que utilizam baixas temperaturas são necessários. O objetivo deste trabalho é o desenvolvimento de técnicas de deposição de filmes de óxido de índio dopado com estanho, em baixas temperaturas (< 100 °C), pelo método de magnetron sputtering de rádio fequência. Filmes foram obtidos sobre substratos de silício, vidro e policarbonato, e suas propriedades físicas, elétricas, ópticas, químicas e estruturais foram analisadas por perfilometria, elipsometria, curvas corrente-tensão, prova de quatro pontas, medidas de efeito Hall, difratometria de raios-X e espectrofotometria. Filmes depositados sobre silício e vidro tiveram resistividade elétrica mínima da ordem de 10-4 Ω.cm, enquanto a resistividade do filme obtido sobre policarbonato foi da ordem de 10-3 Ω.cm. A transmitância óptica média no espectro visível das amostras variou de 66 a 87 %. Do ponto de vista estrutural, as amostras tenderam a apresentar fase amorfa e cristalina, com orientação preferencial ao longo da direção [100]. De modo geral, as amostras obtidas de 75 a 125 W tiveram as melhores propriedades para serem utilizadas em aplicações que exijam eletrodos transparentes, considerando aspectos elétricos e ópticos. Palavras-chave: Óxido de índio dopado com estanho. Óxidos condutores transparentes. Filmes finos. Sputtering.
