No abstract

З використанням раніше відкритого авторами явища дисперсійної (фазової) структурної чутливости картини багаторазового розсіяння створено теоретичні й експериментальні основи трикристальної динамічної дифрактометрії багатошарових кристалічних систем з неоднорідно розподіленими мікродефектами та макродеформацією. Враховано динамічний характер когерентного і дифузного розсіяння від дефектів у всіх шарах системи, а також багаторазовість розсіяння між шарами. С использованием ранее открытого авторами явления дисперсионной (фазовой) структурной чувствительности картины многократного рассеяния созданы теоретические и экспериментальные основы трёхкристальной динамической дифрактометрии многослойных кристаллических систем с неоднородно распределёнными микродефектами и макродеформацией. Учтены динамический характер когерентного и диффузного рассеяния от дефектов во всех слоях системы, а также многократность рассеяния между слоями. With using the previously discovered by authors phenomenon of dispersion (phase) structural sensitivity of multiple-scattering patterns, the theoretical and experimental bases of the triple-crystal dynamical diffractometry of multilayer crystalline systems with inhomogeneous strain and randomly distributed defects are created. The dynamical character of both coherent and diffuse scattering from defects in all the layers of the system as well as the multiple scattering between layers are taken into account.

Îòòèñêè äîñòóïíû íåïîñðåäñòâåííî îò èçäàòåëÿ Ôîòîêîïèðîâàíèå ðàçðåøåíî òîëüêî â ñîîòâåòñòâèè ñ ëèöåíçèåé 2015 ÈÌÔ (Èíñòèòóò ìåòàëëîôèçèêè èì. Ã. Â. Êóðäþìîâà ÍÀÍ Óêðàèíû) Íàïå÷àòàíî â Óêðàèíå.

No abstract

The implantation of the high-energy ions of H+ or He+ in germanium leads to the creation of buried conductive channels in its bulk with equal concentrations of acceptor centers. These centers are the structure defects of the crystal lattice which arise in the course of deceleration of high-energy particles. This method of introducing electrically active defects is similar to the doping of semiconductors by acceptor-type impurities. It has been established that the density of defects increases with the implantation dose till ≈5×10^15 cm−2. The further increase of the implantation dose does not affect the level of doping. In the range of applied doses (10^12–6×10^16) cm−2, the Hall mobility of holes in the formed conducting channels is practically independent of the implanted dose and is about (2-3)×10^4 cm2/Vs at 77 K. The doping ofthe germanium by high-energy ions of H+ or He+ to obtain conducting regions with high hole mobility can be used in the microelectronics technology.